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論文公開のおしらせ

投稿日：2015/07/14

弊社のシニアコンサルタントが代表執筆した英文論文”Controlling Planar Defects in 3C-SiC: Ways to Wake it up as a Practical Semiconductor”(Hiroyuki Nagasawa, Ramya Grunatharn, Maki Suemitsu: Materials Science Forum Vols 821-823 (2015) pp 108-114)がTrans Tech Publicationsよりリリースされました。　本論文の内容は2014年9月にフランスで開催されたEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)において基調講演されたものです。